百達百科  > 所屬分類  >  百科   
[0]

二極體

目錄

基本概念

二極體二極體

二極體(Diode)是一種具有兩個電極(陽極和陰極)的電子元件,只允許電流單方向流動(從陽極向陰極)。它是最基本的半導體器件之一,廣泛應用於各種電子電路中。


工作原理

二極體的核心是一個PN結,由P型半導體和N型半導體結合而成:

  • P型半導體:摻入三價雜質(如硼),形成多數載流子為空穴的區域

  • N型半導體:摻入五價雜質(如磷),形成多數載流子為電子的區域當P型和N型半導體結合時,交界處會形成一個耗盡層,產生內建電場,這就是二極體單向導電性的物理基礎。


主要特性

  1. 單向導電性

    • 正向偏置時(陽極電壓高於陰極),電流容易通過

    • 反向偏置時,幾乎沒有電流流過(僅有微小漏電流)

  2. 伏安特性曲線

    • 正向導通電壓:矽二極體約0.7V,鍺二極體約0.3V

    • 反向擊穿電壓:當反向電壓超過此值時,二極體會突然導通


主要類型

類型特點應用
整流二極體處理大電流,用於將交流轉為直流電源電路
穩壓二極體利用反向擊穿特性穩定電壓電壓調節
發光二極體(LED)通電時發光指示燈、顯示屏
肖特基二極體低正向壓降,高速開關高頻電路
變容二極體電容隨反向電壓變化調諧電路

主要參數

  1. 最大正向電流(IF):允許通過的最大平均正向電流

  2. 反向擊穿電壓(VR):開始反向導通時的電壓

  3. 反向漏電流(IR):反向偏置時的微小電流

  4. 結電容(Cj):PN結形成的電容效應

  5. 反向恢復時間(trr):從導通到截止的轉換時間


應用領域

  1. 整流電路:將交流電轉換為直流電

  2. 保護電路:防止電源反接損壞設備

  3. 邏輯電路:實現簡單的邏輯功能

  4. 檢波電路:從高頻信號中提取信息

  5. 穩壓電路:提供穩定的參考電壓

  6. 發光顯示:LED廣泛應用於各種顯示裝置


測試方法

  1. 使用萬用表測試

    • 將萬用表調至二極體測試檔

    • 正向連接時應顯示導通電壓(矽管約0.5-0.7V)

    • 反向連接時應顯示"OL"或"1"(表示不導通)

  2. 判斷好壞

    • 雙向導通:短路損壞

    • 雙向不導通:開路損壞

    • 正常應為單向導通


發展歷史

  • 1874年:卡爾·費迪南德·布勞恩發現某些礦物的單向導電性

  • 1904年:約翰·弗萊明發明第一個真空二極體(熱離子閥)

  • 1940年代:貝爾實驗室開發出實用的半導體二極體

  • 1962年:尼克·何倫亞克發明第一種實用LED


選型注意事項

  1. 根據應用場景選擇合適類型

  2. 考慮最大正向電流和反向電壓需求

  3. 高頻應用需關注反向恢復時間

  4. 功率應用需考慮散熱問題

  5. 精密電路需注意參數的一致性


常見故障與處理

  1. 開路故障:完全無導通,需更換

  2. 短路故障:雙向導通,需更換

  3. 性能劣化:參數偏移,影響電路功能

  4. 熱擊穿:過載導致永久損壞

  5. 靜電損壞:ESD導致敏感二極體失效

二極體作為電子電路中的基礎元件,其重要性不言而喻。隨著技術發展,新型二極體不斷湧現,在光電、高頻、功率等領域發揮著越來越重要的作用。

基本概念

二極體二極體

二極體(Diode)是一種具有兩個電極(陽極和陰極)的電子元件,只允許電流單方向流動。它是最基本的半導體器件之一,廣泛應用於各種電子電路中。


工作原理

二極體的核心是一個PN結,由P型半導體和N型半導體結合而成:

  • P型半導體:摻雜了三價元素,形成多數載流子為空穴的結構

  • N型半導體:摻雜了五價元素,形成多數載流子為電子的結構當P型和N型半導體結合時,交界處會形成一個阻礙多數載流子擴散的空間電荷區(耗盡層)。


主要特性

單向導電性

  • 正向偏壓:當陽極電位高於陰極時,耗盡層變窄,電流容易通過

  • 反向偏壓:當陰極電位高於陽極時,耗盡層變寬,電流難以通過

伏安特性曲線

  • 正向導通電壓:矽二極體約0.7V,鍺二極體約0.3V

  • 反向擊穿電壓:當反向電壓超過特定值時會發生擊穿現象


主要類型

按材料分類

  1. 矽二極體:最常見,工作溫度高,反向電流小

  2. 鍺二極體:正向壓降低,但溫度穩定性較差

  3. 砷化鎵二極體:用於高頻和光電應用

按功能分類

  1. 整流二極體:將交流電轉換為直流電

  2. 穩壓二極體(齊納二極體):利用反向擊穿特性穩定電壓

  3. 發光二極體(LED):通電時能發出可見光或紅外光

  4. 肖特基二極體:開關速度快,正向壓降低

  5. 變容二極體:電容隨外加電壓變化

  6. 光電二極體:將光信號轉換為電信號


主要參數

  1. 最大正向電流(IFM):允許通過的最大正向平均電流

  2. 反向擊穿電壓(VBR):產生反向擊穿時的電壓

  3. 反向飽和電流(IR):反向偏壓時的微小漏電流

  4. 結電容(CJ):PN結的電容效應

  5. 反向恢復時間(trr):從導通到截止的轉換時間


應用領域

電力電子

  • 交流變直流的整流電路

  • 開關電源中的續流保護

  • 電壓鉗位和保護電路

通信電子

  • 高頻信號的檢波和混頻

  • 微波信號的產生與處理

  • 光通信中的光電轉換

消費電子

  • LED照明和顯示

  • 電源保護和穩壓

  • 各類電子設備的邏輯控制


檢測方法

指針式萬用表檢測

  1. 選擇R×1k檔

  2. 正向測量:黑表筆接陽極,紅表筆接陰極,顯示低電阻

  3. 反向測量:表筆反接,顯示高電阻

數字萬用表檢測

  1. 選擇二極體測試檔

  2. 正向測量顯示導通電壓(矽管約0.5-0.7V)

  3. 反向測量顯示"OL"或"1"(超量程)


發展歷史

  • 1874年:卡爾·費迪南德·布勞恩發現金屬與半導體的單向導電現象

  • 1904年:約翰·弗萊明發明真空管二極體(弗萊明閥)

  • 1947年:貝爾實驗室研製出第一個實用的半導體二極體

  • 1962年:尼克·何倫亞克發明第一種實用可見光LED


選用原則

  1. 根據電路功能選擇合適類型

  2. 正向電流不超過額定值

  3. 反向工作電壓留有足夠餘量

  4. 高頻應用考慮結電容和反向恢復時間

  5. 特殊環境考慮溫度特性


注意事項

  1. 焊接時溫度不宜過高,時間不宜過長

  2. 安裝時注意極性,防止反接

  3. 功率二極體需考慮散熱問題

  4. 高頻應用中注意引線長度和佈局

  5. 避免靜電損傷敏感的二極體器件

附件列表


0

詞條內容僅供參考,如果您需要解決具體問題
(尤其在法律、醫學等領域),建議您咨詢相關領域專業人士。

上一篇 中子星    下一篇 係數

標簽

暫無標簽

同義詞

暫無同義詞