二極體
基本概念

二極體(Diode)是一種具有兩個電極(陽極和陰極)的電子元件,只允許電流單方向流動(從陽極向陰極)。它是最基本的半導體器件之一,廣泛應用於各種電子電路中。
工作原理
二極體的核心是一個PN結,由P型半導體和N型半導體結合而成:
P型半導體:摻入三價雜質(如硼),形成多數載流子為空穴的區域
N型半導體:摻入五價雜質(如磷),形成多數載流子為電子的區域當P型和N型半導體結合時,交界處會形成一個耗盡層,產生內建電場,這就是二極體單向導電性的物理基礎。
主要特性
單向導電性:
正向偏置時(陽極電壓高於陰極),電流容易通過
反向偏置時,幾乎沒有電流流過(僅有微小漏電流)
伏安特性曲線:
正向導通電壓:矽二極體約0.7V,鍺二極體約0.3V
反向擊穿電壓:當反向電壓超過此值時,二極體會突然導通
主要類型
類型 | 特點 | 應用 |
---|---|---|
整流二極體 | 處理大電流,用於將交流轉為直流 | 電源電路 |
穩壓二極體 | 利用反向擊穿特性穩定電壓 | 電壓調節 |
發光二極體(LED) | 通電時發光 | 指示燈、顯示屏 |
肖特基二極體 | 低正向壓降,高速開關 | 高頻電路 |
變容二極體 | 電容隨反向電壓變化 | 調諧電路 |
主要參數
最大正向電流(IF):允許通過的最大平均正向電流
反向擊穿電壓(VR):開始反向導通時的電壓
反向漏電流(IR):反向偏置時的微小電流
結電容(Cj):PN結形成的電容效應
反向恢復時間(trr):從導通到截止的轉換時間
應用領域
整流電路:將交流電轉換為直流電
保護電路:防止電源反接損壞設備
邏輯電路:實現簡單的邏輯功能
檢波電路:從高頻信號中提取信息
穩壓電路:提供穩定的參考電壓
發光顯示:LED廣泛應用於各種顯示裝置
測試方法
使用萬用表測試:
將萬用表調至二極體測試檔
正向連接時應顯示導通電壓(矽管約0.5-0.7V)
反向連接時應顯示"OL"或"1"(表示不導通)
判斷好壞:
雙向導通:短路損壞
雙向不導通:開路損壞
正常應為單向導通
發展歷史
1874年:卡爾·費迪南德·布勞恩發現某些礦物的單向導電性
1904年:約翰·弗萊明發明第一個真空二極體(熱離子閥)
1940年代:貝爾實驗室開發出實用的半導體二極體
1962年:尼克·何倫亞克發明第一種實用LED
選型注意事項
根據應用場景選擇合適類型
考慮最大正向電流和反向電壓需求
高頻應用需關注反向恢復時間
功率應用需考慮散熱問題
精密電路需注意參數的一致性
常見故障與處理
開路故障:完全無導通,需更換
短路故障:雙向導通,需更換
性能劣化:參數偏移,影響電路功能
熱擊穿:過載導致永久損壞
靜電損壞:ESD導致敏感二極體失效
二極體作為電子電路中的基礎元件,其重要性不言而喻。隨著技術發展,新型二極體不斷湧現,在光電、高頻、功率等領域發揮著越來越重要的作用。
基本概念

二極體(Diode)是一種具有兩個電極(陽極和陰極)的電子元件,只允許電流單方向流動。它是最基本的半導體器件之一,廣泛應用於各種電子電路中。
工作原理
二極體的核心是一個PN結,由P型半導體和N型半導體結合而成:
P型半導體:摻雜了三價元素,形成多數載流子為空穴的結構
N型半導體:摻雜了五價元素,形成多數載流子為電子的結構當P型和N型半導體結合時,交界處會形成一個阻礙多數載流子擴散的空間電荷區(耗盡層)。
主要特性
單向導電性
正向偏壓:當陽極電位高於陰極時,耗盡層變窄,電流容易通過
反向偏壓:當陰極電位高於陽極時,耗盡層變寬,電流難以通過
伏安特性曲線
正向導通電壓:矽二極體約0.7V,鍺二極體約0.3V
反向擊穿電壓:當反向電壓超過特定值時會發生擊穿現象
主要類型
按材料分類
矽二極體:最常見,工作溫度高,反向電流小
鍺二極體:正向壓降低,但溫度穩定性較差
砷化鎵二極體:用於高頻和光電應用
按功能分類
整流二極體:將交流電轉換為直流電
穩壓二極體(齊納二極體):利用反向擊穿特性穩定電壓
發光二極體(LED):通電時能發出可見光或紅外光
肖特基二極體:開關速度快,正向壓降低
變容二極體:電容隨外加電壓變化
光電二極體:將光信號轉換為電信號
主要參數
最大正向電流(IFM):允許通過的最大正向平均電流
反向擊穿電壓(VBR):產生反向擊穿時的電壓
反向飽和電流(IR):反向偏壓時的微小漏電流
結電容(CJ):PN結的電容效應
反向恢復時間(trr):從導通到截止的轉換時間
應用領域
電力電子
交流變直流的整流電路
開關電源中的續流保護
電壓鉗位和保護電路
通信電子
高頻信號的檢波和混頻
微波信號的產生與處理
光通信中的光電轉換
消費電子
LED照明和顯示
電源保護和穩壓
各類電子設備的邏輯控制
檢測方法
指針式萬用表檢測
選擇R×1k檔
正向測量:黑表筆接陽極,紅表筆接陰極,顯示低電阻
反向測量:表筆反接,顯示高電阻
數字萬用表檢測
選擇二極體測試檔
正向測量顯示導通電壓(矽管約0.5-0.7V)
反向測量顯示"OL"或"1"(超量程)
發展歷史
1874年:卡爾·費迪南德·布勞恩發現金屬與半導體的單向導電現象
1904年:約翰·弗萊明發明真空管二極體(弗萊明閥)
1947年:貝爾實驗室研製出第一個實用的半導體二極體
1962年:尼克·何倫亞克發明第一種實用可見光LED
選用原則
根據電路功能選擇合適類型
正向電流不超過額定值
反向工作電壓留有足夠餘量
高頻應用考慮結電容和反向恢復時間
特殊環境考慮溫度特性
注意事項
焊接時溫度不宜過高,時間不宜過長
安裝時注意極性,防止反接
功率二極體需考慮散熱問題
高頻應用中注意引線長度和佈局
避免靜電損傷敏感的二極體器件
附件列表
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